Оперативная память Goodram GR1600S3V64L11S/4G SODIMM DDR3L/4Гб/1600МГц для ноутбуков

Goodram GR1600S3V64L11S/4G – это модуль оперативной памяти формата SO-DIMM, предназначенный для использования в ноутбуках и других портативных устройствах. Он обладает емкостью 4 ГБ и поддерживает тактовую частоту 1600 МГц.

Модуль выполнен в соответствии со стандартом DDR3L, обеспечивающим низкое энергопотребление и повышенную производительность работы устройства. Также он обладает латентностью CL11, что означает задержку доступа к памяти в 11 тактах.

Goodram GR1600S3V64L11S/4G имеет 204 контакта и работает на напряжении 1,35 В, что делает его более энергоэффективным, чем модули оперативной памяти, работающие на стандартном напряжении 1,5 В. Его можно использовать как отдельно, так и в сочетании с другими модулями оперативной памяти для увеличения ее объема и производительности системы в целом.

Кроме того, модуль имеет компактный дизайн, позволяющий использовать его с устройствами, где ограничены размеры и высота установки памяти, например ноутбуки и мини-ПК.

Характеристики:

Тип товара: оперативная память
Назначение: Для ноутбуков
Тип памяти: SODIMM DDR3L
Объем памяти: 4Гб
Напряжение питания: 1.35В
Частота памяти: 1600 МГц
Эффективная пропускная способность: 12800 МБ/с
Схема таймингов памяти: CL11
Количество планок: 1