Модуль памяти Goodram GR1600S3V64L11/8G DDR3L SDRAM 8Гб/1600 МГц

Модуль памяти Goodram GR1600S3V64L11/8G – это высококачественный модуль оперативной памяти, разработанный для повышения производительности и улучшения работы компьютерной системы. Этот модуль предназначен для использования в ноутбуках и других мобильных устройствах.

GR1600S3V64L11/8G имеет емкость 8 гигабайт и работает на частоте 1600 мегагерц, что обеспечивает быстродействие и отзывчивость системы. Этот модуль памяти использует стандарт DDR3, широко распространенный и совместимый с большинством современных компьютерных систем.

Одно из преимуществ модуля GR1600S3V64L11/8G – это его низкое энергопотребление. Он работает с низким напряжением, что помогает снизить потребление энергии и повысить эффективность работы ноутбука или другого устройства. Благодаря этому модуль позволяет увеличить время автономной работы и продлить срок службы батареи.

GR1600S3V64L11/8G также отличается надежностью и стабильностью работы. Goodram – известный производитель памяти, известный своими высокими стандартами качества. Модуль памяти проходит серьезные тесты и сертификацию, чтобы обеспечить надежную и безопасную работу в вашей системе.

Установка модуля GR1600S3V64L11/8G в вашу систему обычно является простой процедурой. Он совместим с разными ноутбуками и устройствами, поддерживающими стандарт DDR3 и оперативную память частотой 1600 МГц. Рекомендуется проверить совместимость с системой перед покупкой.

В общем, модуль памяти Goodram GR1600S3V64L11/8G – это надежный и высококачественный компонент, предназначенный для улучшения производительности вашей компьютерной системы. Он обеспечивает высокую скорость работы, энергоэффективность и стабильность, делая его отличным выбором для обновления памяти в ноутбуке или другом мобильном устройстве.

Характеристики:

Тип товара: модуль памяти/оперативная память
Назначение: для ноутбука
Объем памяти: 8 ГБ
Тип памяти: DDR3L SDRAM
Напряжение питания: 1.35 В
Частота памяти: 1600 МГц
Эффективная пропускная способность: 12800 МБ/с
Схема таймингов памяти: CL11
Количество планок: 1
Форм-фактор: SO-DIMM